朗科科技荣膺中国科技创新品牌500强，品牌价值近百亿
为全面落实党中央、国务院关于品牌发展的决策部署，持续发挥品牌引领作用，全面提升中国科技创新品牌的国际竞争力和影响力，7月27日，由专业品牌机构Asiabrand发起主办，中国亚洲经济发展协会、亚洲品牌网联合主办的“2022品牌强国论坛暨中国科技创新品牌500强发布会”在海南文昌隆重举行。
深圳市朗科科技股份有限公司(以下简称“朗科科技”)受邀参加此次活动，斩获“2022中国科技创新品牌500强”和“中国科技创新最具潜力品牌”两项大奖。
本次论坛以“品牌是振兴民族企业之根本”为主题，深度探寻品牌再成长之路， 会上隆重发布了 “中国创新品牌500强”榜单。据悉，此次入榜“中国科技创新品牌500强”的除朗科科技外，还有华为、国家电网、字节跳动等众多知名企业。
此外，Asiabrand还根据其品牌价值评价 3.0“定性+定量”模型，通过品牌资产的精确计量和品牌资产功效的相关分析，对朗科科技品牌价值进行了全面评估，朗科科技品牌估值达97.81亿元。
亚洲品牌集团(英文简称“Asiabrand”)于2005年在香港成立，是专业品牌价值系统化服务商。Asiabrand依据独立研发的核心评价体系和评价技术，以品牌价值为核心，连续十几年发布“亚洲品牌500 强”排行榜，并陆续推出“世界品牌500强”、“中国品牌500强”、“中国上市公司创新品牌100强”、“中国新三板创新品牌100强”、“中国明星品牌价值100强”等权威榜单，是品牌评价领域最权威机构之一。
20年深耕存储领域
作为国内较早涉足存储领域的企业，朗科科技在1999年成功研发出全球第一款USB闪存盘。此后20多年的时间，朗科科技深耕存储领域并进行多元化布局，截至目前，产品覆盖SSD固态存储、DDR内存、嵌入式存储和移动存储等领域，已服务超过5000家企事业单位，产品远销50多个国家及地区。
以创新驱动发展，以创新赋能产品
创新是企业的核心竞争力，更是企业向前发展的推动力，朗科科技高度重视知识、人才和技术资源的储备，坚定不移实施以创新驱动发展的战略，加大研发投入，目前，朗科科技拥有专利及专利申请总量超300项。
朗科科技始终以市场需求为导向，积极满足客户需求，为客户的痛点问题提供解决方案，通过持续创新为产品赋能，厚积薄发，先后推出PCIe4.0 SSD、DDR5内存等具有行业竞争力和影响力的产品，获得了客户广泛青睐与认可，产品力与品牌力逐步提高。
战略机遇与朗科转型
未来，朗科科技将积极把握国际国内“双循环”和扩大内需战略机遇，积极布局国内市场和数据存储及相关新领域新业务，与国家发展数字经济和大数据产业高度契合。
随着韶关市城市投资发展集团有限公司入资朗科科技成为第一大股东，公司的战略转型路径和方向越发清晰，即围绕粤港澳大湾区一体化算力枢纽节点及中心集群建设深耕大数据存储制造及存储服务业务，积极参与IDC及数据存储基础设施建设，充分发挥自身在产品设备、数据服务、数据安全等方面的专长，稳步推进朗科可持续健康发展，努力打造成为湾区数据算力领域优质企业。
(以上图片由朗科科技提供 授权中国网财经使用)
算力+存力l一张图
2023年3月31日，我国发起对美光在华销售产品的网络安全审查，体现出存储产业安全的重要性。此外，AI算力需求拉动高算力服务器出货，而AI服务器的存力需求更强，AI将驱动“从算力到存力”的中长期需求：
1、海外厂商占据绝对份额，国内存储安全重要性凸显
存力的底层支撑：半导体存储器芯片（主流为DRAM+NAND Flash）。存力的体现形式：数据中心+存储服务器。
海外巨头垄断，国内存储安全重要性日益凸显。 全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断，CR3 超过 95%，全球NAND flash市场由前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，目前 CR3 市场份额达65%，CR6 市场份额接近95%。
2、国内数据圈庞大，AI驱动“从算力到存力”的长期需求
得益于人工智能、物联网、云计算等新兴技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，驱动存储设备在数据中心采购占比进一步提升。据IDC预测，预计到2025年，中国数据圈将增长至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，成为全球最大的数据圈。
AI技术革命推动高算力服务器等基础设施需求提升，AI服务器所需的DRAM/NAND分别是常规服务器的8/3倍。
3、存储周期拐点已至，库存改善、价格压力缓解
美光23Q1存货环比小幅回落，集邦咨询预测23Q2DRAM价格跌幅收窄至10%-15%（23Q1为20%），库存情况改善、价格压力缓解，存储行业周期迎来拐点。
4、先进存力的前进方向：存算一体、HBM/DRAM、3D NAND
存算一体： 将存储单元和计算单元合为一体，省去了计算的数据搬运环节，消除由于数据搬运带来的功耗，提升计算能效。
HBM/DRAM： 作为存储器主流之一的DRAM技术不断升级，衍生出HBM（高带宽内存），其是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，将多个DDR芯片堆叠后与GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列， 突破内存容量与带宽瓶颈。
3D NAND（立体堆叠技术）： 可以摆脱对先进制程工艺的束缚，不依赖于EUV技术，而闪存的容量/性能/可靠性也有了保障。
建议关注标的：兆易创新、北京君正、澜起科技、深科技、东芯股份、聚辰股份、普冉股份、江波龙、佰维存储、德明利、易华录、朗科科技、恒烁股份、同有科技、雅创电子
报告正文
分析师：陈杭
联系人：安子超
来源：浙商证券新科技团队
具体参见2023年4月3日报告《从算力到存力：存储芯片研究框架》
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